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[8178-0177-0001] 半导体芯片用的载体元件
[摘要] 半导体芯片用的一种载体元件应该既用于装入各芯片卡中，又用于焊接在用ＳＭＤ技术的各印刷电路板上。为此合成材料薄膜（１）的铜覆层是通过刻蚀如此结构化的，使各接点面（３）是与终止在载体元件边缘上的各印制导线（４）整块构成的，这些印制导线使得可靠的焊接成为可能。
[8178-0162-0002] 半导体集成电路的衬底和半导体集成电路的制造方法
[摘要] 本发明的目的在于得到容易制造抗软错误、锁定、ＥＳＤ的性能强的集成电路的半导体集成电路的衬底。在形成存储单元部５、逻辑部６和输入输出部８的各部分的区域中，与各部分必须具有的抗软错误、锁定、ＥＳＤ的性能相一致，使杂质浓度比衬底单晶５１、５５低的半导体表面层的膜厚变化。
[8178-0090-0003] 压装在印刷电路板孔内从集成电路到散热器传热的导热基片
导热基片（５０）被安装在印刷电路板（５２）的通孔（６０）内。然后，集成电路（４２）被安装到导热基片的一侧，而散热器（９０）被安装到基片的另一侧而形成热接触。在ＩＣ与ＰＣ板之间没有直接的热接触。通过给基片的多个部分（７１）的法面施加受控的压力，把导热基片安装到ＰＣ板内。这种压力减小了被压部分的厚度和使被压部分的面积扩大，从而固定到ＰＣ板内。在除了基片的被压区域外的任何部位，基片与ＰＣ板之间都有空气隙（７５）。这样的被压区域处于沿基片的周边（６７）处。
[8178-0074-0004] 用于半导体器件中的接触故障检测的装置和方法
[摘要] 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。
[8178-0183-0005] 减小半导体器件中的寄生漏电
[摘要] 一种沟槽电容器，具有邻近轴环的扩散区，以增加寄生ＭＯＳＦＥＴ的栅阈值电压。它能使用较薄的轴环，同时可以得到可以接受的漏电流。在一个实施例中，扩散区是自对准的。
[8178-0182-0006] 介质分隔式半导体器件
[摘要] 将第一和第二Ｐ－型半导体衬底通过在其间夹上一绝缘膜胶合起来，构成ＳＯＩ衬底。在Ｐ型ＳＯＩ层中两衬底的表面形成沟道分隔区，供选择各元件用，从而通过用氧化膜埋设沟道将元件形成区封闭起来。在此由介电区分隔的元件形成区中形成具有Ｐ＋型漏极扩散层和Ｐ－型漏极扩散层的ＭＯＳ晶体管。向由沟道分隔区所封闭的元件形成区外的Ｐ＋扩散层连接的电极和漏极扩散层上加同样的电位。这样做的结果是，无需在ＳＯＩ衬底背面形成电极就可以避免耐压变差。
[8178-0077-0007] 层间介电层平坦化制造方法
[摘要] 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，比较后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。
[8178-0114-0008] 半导体装置中的布线图形的自动配置
[摘要] 一种生成半导体装置的核的方法，包括设置虚拟块（１０）的步骤，该虚拟块（１０）具有连接到所述核之外的外部电路的外部布线上的接点（１４）。此外，该生成半导体装置的核的方法包括在所述虚拟块（１０）中设置布线禁止区（１５）的步骤。配置在该核内的内部布线（１７）与接点（１４）的连接在所述布线禁止区（１５）中是被禁止的。再者，该生成半导体装置的核的方法包括在该核内至少配置所述虚拟块（１０）的所述接点（１４）的步骤。
[8178-0166-0009] 在半导体器件中形成隔离沟槽的方法
[摘要] 一种在半导体器件内形成沟槽隔离的方法，通过优化退火温度由此除去腐蚀半导体衬底的步骤期间引起的衬底缺陷并释放了应力，增加了沟槽隔离特性，由此提高了器件的成品率和可靠性。
[8178-0064-0010] 带有通孔从焊球键合位置侧向偏移的TAB带球栅阵列封装
[摘要] 本发明提供一种球栅阵列（BGA）封装，其中BGA的加强板也可用作为导体层。将TAB带通过粘结剂附到加强板上，而TAB带和粘结剂两者都可以具有开向加强板的通孔。由焊膏、导电粘结剂等等制成的导电塞可填充到通孔中，以提供从TAB带到加强板的电气连接。通孔可位于接近于焊球的位置。TAB带可以包括多个导体层或多层单个导体层。TAB带可以相互层叠，以提供额外的电路路径。另外，TAB带的诸层也可以使用金属箔层加以组合。
[8178-0148-0011] 用于布线的铝膜形成方法
[8178-0017-0012] 用于制造半导体器件的触点的方法
[8178-0118-0013] 低噪声的球栅阵列封装
[8178-0196-0014] 钛膜形成方法
[8178-0083-0015] 具有阻挡层的断路闸流管
[8178-0197-0016] 用于集成电路器件制造的先进介电材料和工艺
[8178-0023-0017] 红外传感器
[8178-0217-0018] 制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统
[8178-0072-0019] 形成半导体器件槽隔离的方法
[8178-0005-0020] 备有执行闪速存储器存取控制的存取电路的半导体存储器
[8178-0100-0021] 等离子体处理装置及等离子体处理方法
[8178-0032-0022] 半导体存储器电路
[8178-0076-0023] 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
[8178-0103-0024] 压电谐振器和包括它的电子元件
[8178-0086-0025] 高压CMOS结构的半导体器件及其制造方法
[8178-0135-0026] 提高长期稳定性的有机电场致发光器件
[8178-0206-0027] 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
[8178-0048-0028] 制造铁电存储器件的方法
[8178-0081-0029] 发光二极管装置及其制造方法
[8178-0089-0030] 电平变换电路
[8178-0129-0031] 半导体器件及其使用的多层引线框架
[8178-0009-0032] 形成随机存取存储器单元阵列的埋藏式电容阵列的方法
[8178-0205-0033] 固态成像装置
[8178-0112-0034] 半导体存储器
[8178-0121-0035] 制造卡产品的方法及制造装置
[8178-0036-0036] 半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法
[8178-0060-0037] 制造半导体存储器件的电容器的方法
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[8178-0178-0039] 限流器
[8178-0136-0040] 半导体器件及其制造方法
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[8178-0027-0042] 半导体光电探测器及其制造方法
[8178-0030-0043] 异质结双极型晶体管
[8178-0022-0044] 碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
[8178-0046-0045] 带有用于焊料块的基底阻挡膜的半导体器件及其制造方法
[8178-0201-0046] 制造半导体器件的方法
[8178-0010-0047] 皇冠型电容结构的制造方法
[8178-0042-0048] 快闪电性可抹除只读存储器
[8178-0115-0049] 对准键合机或拾放机的焊头的方法和装置
[8178-0014-0050] 半导体器件和半导体器件的制作方法
[8178-0012-0051] 半导体器件及其制造方法
[8178-0085-0052] 固态成像器件及其制造方法
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[8178-0054-0054] 插塞的制造方法
[8178-0015-0055] 用半球形晶粒制造电容的方法
[8178-0126-0056] 一种热电材料制成的铸板
[8178-0025-0057] 自对准非易失性存储单元
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[8178-0070-0060] 半导体器件的制造方法
[8178-0020-0061] 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
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[8178-0138-0066] 动态随机存取存储器单元装置和其制造方法
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[8178-0199-0077] 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
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