SPW20N60C3 INF厂家
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SPW20N60C3，采用TO-247 封装方式。 晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id *大值:20.7A 电压, Vds *大:650V 开态电阻, Rds(on):0.19ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs *高:3V 功耗:208W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 功率, Pd:208W 封装类型:TO-247 总功率, Ptot:208W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds:650V 电流, Idm 脉冲:62.1A 结温, Tj *低:-55°C 结温, Tj *高:150°C 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 阈值电压, Vgs th *高:3.9V 所属类别：半导体二极管 产品：General Purpose MOSFETs 晶体管极性：N-Channel 电阻基极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohm @ 10 V 基极/源极击穿电压：650 V 漏极连续电流： 20.7 A 功率耗散：208000 Mw 闸/源击穿电压：20 V 封装/箱体：TO-247 封装：Tube
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5.本店对本规则拥有*终解释权。
