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一、功能特点
芯片内部集成耐高压 POWERMOS,以满足低功耗的要求。待机模式下,通过降低工作频率来降低功耗同时输出稳定的工作电压。频率降低限制在20KHz/21.5KHz以下以避免产生音频噪声。在诸如开环、过压或由短路引起的过载等失效模式下,芯片通过内部的保护电路来使得芯片切换到重启动模式。通过内部精密电流峰值控制,变压器的尺寸和次级二极管的可以变得更小,从而来降低整个系统的成本。
二、特性描述
? 集成650v高压POWERMOS器件
? 用户定义软起动,以降低电磁干扰
? 工作电流可通过外部电阻调整
? 输入欠压保护
? 内置过热保护
? 内置过载保护和开环保护
? 自动重启,自动重起期间可过压保护
? 频率修调,以降低EMI
? 100KHz开关频率,*大占空比72%
? 低功耗待机模式,以满足欧盟要求
? 应用电路设计简单
? 输出电流容差
? DIP8封装,满足RoHS环保要求
开启电阻1.8ohm,输出功率24W,90V~275V工作
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