未核实，仅供参考本机是制造中、大规模集成电路，传感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻设备。主要技术参数：
1、适用的掩模尺寸：
（1）100*100*2-3mm
（2）75*75*2-3mm
（3）63*63*2-3（选购）2、适用的硅片尺寸：ф35-ф75mm3、光刻图形线条：3~4чm，*细可达2чm4、掩模与硅片之间的相对位移范围：X/Y ±2.5mm，（旋转） ±6 °5、承片台（硅片）绕主轴旋转：粗调360度，可微调6、承片工作台综合移动范围：X,Y合成ф75mm7、承片台的球座平面至掩模板面升降：0-7.5mm8、曝光灯源：GCQ200W超高压汞灯，曝光波长：300-436nm9、曝光系统能量不低于：7mw10、曝光系统的照度均匀度在 φ75mm范围内： ±5%11、显微镜的照明波长：≈545nm12、曝光时间控制范围：
0.1秒~99分13、双目显微镜的放大倍数：
（1）目镜共二种：10X,16X
（2）平视场物镜共三种：6X,9X,15X
（3）合成放大倍率：60X-240x14、真空接触压力： ≥0.7kgf15、装箱尺寸：1000*850*980mm（2只）16、装箱重量：200kg
